半导体装置及其制备方法

摘要

本发明提出了一种半导体装置及其制备方法。用半导体材料部分填充一形成在半导体基板中的沟槽，使半导体材料布满沟槽的底部和边缘，同时在沟槽中间沿沟槽的长度方向保留一个缝隙。半导体材料的第一部分位于缝隙下方，用第一导电类型的掺杂物掺杂第一部分。用电介质材料填充缝隙。半导体材料的第二部分位于电介质材料两边的沟槽边缘上，用第二导电类型的掺杂物掺杂。掺杂构成一个沿沟槽长度方向延伸的P-N-P结构或N-P-N结构，不同的掺杂区并排分布在沟槽的整个宽度上。

主权项

一种用于制备半导体装置之制备方法，包括：(a)于一半导体基板中制备一沟槽；(b)以一半导体材料部分填充该沟槽，使该半导体材料布满该沟槽之底部和边缘，并于该沟槽中间沿该沟槽之长度方向保留一缝隙；(c)以一第一导电类型之一掺杂物掺杂位于该缝隙下方之该半导体材料之一第一部分；(d)用一电介质材料填充该缝隙；以及(e)以一第二导电类型之一掺杂物掺杂位于该电介质材料两边之该沟槽边缘上之该半导体材料之一第二部分，通过掺杂，构成沿该沟槽长度方向之一P-N-P结构或一N-P-N结构，不同的一掺杂区并排分布于该沟槽之整个宽度上；其中，用该半导体材料部分填充该沟槽之前，用一电介质层布满该沟槽。