发明名称 聚烯烃系多孔质膜及其制造方法
摘要 一种聚烯烃系多孔质膜之制造方法,其依序包括如下步骤:;(A)步骤:使聚烯烃系树脂组合物成形为无孔素材之素材成形步骤;;(B)步骤:于-20℃~(Tm-30)℃(Tm为无孔素材之熔点(℃))下将(A)步骤中所获得之无孔素材沿上述素材之挤出方向(MD)冷延伸而使其多孔质化之MD冷延伸步骤;;(D)步骤:将经由(B)步骤之膜沿与MD正交之方向(TD)冷延伸之TD冷延伸步骤;及;(H)步骤:热固定步骤;且;(H)步骤中之热固定温度T2(℃)满足下述式(1)及(2)。;T2>T1 (1);(Tm-3)≧T2≧(Tm-40) (2);(式中,T1表示(D)步骤中之延伸温度(℃),Tm表示无孔素材之熔点(℃));一种聚烯烃系多孔质膜,其系包含聚烯烃系树脂组合物者,且孔隙表面积为35.0~42.0 m2/g,并且双折射率为2.0×10-2~4.0×10-2。;一种聚烯烃系多孔质膜之制造方法,其包括下述(A)及(B)之各步骤,且(A)步骤中所获得之无孔素材之双折射率为3.0×10-2以上,所获得之聚烯烃系多孔质膜之孔隙表面积为42.0 m2/g以下:;(A)步骤:使聚烯烃系树脂组合物成形为无孔素材之素材成形步骤;;(B)步骤:于-20℃~(Tm-30)℃(Tm为无孔素材之熔点(℃))下将(A)步骤中所获得之无孔素材沿上述素材之挤出方向(MD)冷延伸而使其多孔质化之MD冷延伸步骤。
申请公布号 TWI444286 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW100143517 申请日期 2011.11.25
申请人 旭化成电子材料股份有限公司 日本 发明人 伊东己行
分类号 B29C55/14;H01M2/14;B29K23/00 主分类号 B29C55/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种聚烯烃系多孔质膜之制造方法,其依序包括如下步骤:(A)步骤:使聚烯烃系树脂组合物成形为无孔素材之素材成形步骤;(B)步骤:于-20℃~(Tm-30)℃(Tm为无孔素材之熔点(℃))下将(A)步骤中所获得之无孔素材沿上述素材之挤出方向(MD)冷延伸而使其多孔质化之MD冷延伸步骤;(D)步骤:将经由(B)步骤之膜沿与MD正交之方向(TD)冷延伸之TD冷延伸步骤;及(H)步骤:热固定步骤;且(H)步骤中之热固定温度T2(℃)满足下述式(1)及(2),T2>T1(1) (Tm-3)≧T2≧(Tm-40) (2)(式中,T1表示(D)步骤中之延伸温度(℃),Tm表示无孔素材之熔点(℃))。
地址 日本