发明名称 金属绝缘体金属元件及其制造方法
摘要 一种金属绝缘体金属元件,包括一第一金属层、一第一绝缘层、一第二金属层及一第二绝缘层。第一绝缘层配置在第一金属层上。第二金属层配置在第一绝缘层的一部分上。第二绝缘层配置在第二金属层的一侧壁及第一绝缘层的另一部分上。在第二金属层及第二绝缘层下方之第一绝缘层之平行于第一金属层的宽度大于第二金属层之平行于第一金属层的宽度。一种金属绝缘体金属元件的制造方法亦被提出。
申请公布号 TWI445133 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW100142468 申请日期 2011.11.21
申请人 奇景光电股份有限公司 台南市新市区紫楝路26号 发明人 林宏穗;林茂雄
分类号 H01L21/822;H01G4/33;H01L27/04 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种金属绝缘体金属元件的制造方法,包括:提供一第一金属层;在第一金属层上形成一第一绝缘层在第一绝缘层上形成一第二金属层蚀刻该第二金属层的一部分,其中该第二金属层的一其余部份未被蚀刻;形成一第二绝缘层,其中该第二绝缘层覆盖该第二金属层的该其余部份和该第一绝缘层;蚀刻该第二绝缘层,且在该第二金属层的该其余部分的一侧壁上保留该第二绝缘层的一残留部分;以及蚀刻该第一绝缘层,其中该第一绝缘层之位于该第二金属层的该其余部分及该第二绝缘层的该残留部分的下方的一中间部分因该第二金属层的该其余部分和该第二绝缘层的该残留部分作为蚀刻障壁而未被蚀刻,其中该第一绝缘层的该中间部分之平行于该第一金属层的宽度大于该第二金属层的该其余部分之平行于该第一金属层的宽度。
地址 台南市新市区紫楝路26号