发明名称 主动元件
摘要 一种主动元件,其包括一源极、一汲极、一氧化物半导体层、一闸极与一闸绝缘层。源极包括多个彼此平行的第一条状电极以及一连接第一条状电极之第一连接电极,汲极包括多个彼此平行的第二条状电极以及一连接第二条状电极之第二连接电极,其中第一条状电极与第二条状电极平行,彼此交替排列,并彼此电性绝缘,且之间存在一曲折沟渠,而闸极沿着曲折沟渠延伸。氧化物半导体层与源极以及汲极接触,其中氧化物半导体层与各第一条状电极的接触面积等于各第一条状电极的布局面积,且各第二条状电极的接触面积等于各第二条状电极的布局面积。
申请公布号 TWI445175 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW100141252 申请日期 2011.11.11
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 邱皓麟;林其叡;曹书玮;林俊男;叶柏良;曾贤楷
分类号 H01L29/78;H01L23/52 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种主动元件,包括:一源极,包括多个彼此平行的第一条状电极以及一连接该些第一条状电极之第一连接电极;一汲极,包括多个彼此平行的第二条状电极以及一连接该些第二条状电极之第二连接电极,其中该些第一条状电极与该些第二条状电极平行,并且交替排列于该第一连接电极与该第二连接电极之间,而该源极与该汲极电性绝缘,且该源极与该汲极之间存在一曲折沟渠(zigzag trench);一氧化物半导体层,与该源极以及该汲极接触,其中该氧化物半导体层与各该第一条状电极的接触面积等于各该第一条状电极的布局面积,且各该第二条状电极的接触面积等于各该第二条状电极的布局面积;一闸极,沿着该曲折沟渠延伸,该闸极具有多个延伸方向与该第一条状电极以及该第二条状电极平行之间隙,该间隙的宽度系介于3微米至15微米;以及一闸绝缘层,配置于该闸极与该氧化物半导体层之间,其中该氧化物半导体层为不具有条状间隙且完全重叠于该闸极之该些间隙的一矩形图案,使得该主动元件之临界电压的偏移量为0.5伏特到2.5伏特区间内。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号