用于半导体背面之切晶带一体型薄膜

摘要

本发明提供一种用于半导体背面之切晶带一体型薄膜，其包括：一切晶带，其包括一基础材料及一提供于该基础材料上之压敏黏合剂层；及一覆晶型半导体背面之薄膜，其提供于该压敏黏合剂层上，其中该覆晶型半导体背面之薄膜具有一包括一晶圆黏合层及一雷射标记层之多层结构，该晶圆黏合层系由一含有一热固性树脂组份及作为一可选组分之一相对于树脂组分之总量小于30重量%之量之热塑性树脂组分之树脂组合物所形成，且该雷射标记层系由一含有一相对于树脂组分之总量为30重量%或以上之量之热塑性树脂组分及作为一可选组分之热固性树脂组分之树脂组合物所形成。

主权项

一种用于半导体背面之切晶带一体型薄膜，其包含：一切晶带，其包括一基础材料及一提供于该基础材料上之压敏黏合剂层；及一覆晶型半导体背面之薄膜，其提供于该压敏黏合剂层上，其中该覆晶型半导体背面之薄膜具有一包括一晶圆黏合层及一雷射标记层之多层结构，其中该晶圆黏合层系由一树脂组合物形成，该树脂组合物含有一热固性树脂组分及一相对于树脂组分之总量小于30重量%之量之热塑性树脂组分，且其中该雷射标记层系由一树脂组合物形成，该树脂组合物含有一相对于树脂组分之总量为30重量%或以上之量之热塑性树脂组分及一热固性树脂组分，其中该晶圆黏合层之厚度为1至50μm，该雷射标记层之厚度为1至50μm，该覆晶型半导体背面之薄膜之厚度为5至500μm，其中该覆晶型半导体背面之薄膜对切晶带之厚度之比为150/50至3/500。