发明名称 半导体发光装置
摘要 一种半导体发光装置,具有包含第一及第二传导型半导体层之半导体叠层,该第一及第二传导型半导体层分别包含第一及第二主表面和主动层。半导体叠层分为第一及第二区。形成至少一个接触孔以自第一区之第二主动表面穿越主动层。第一电极形成于第二主表面上以连接至第一区之第一传导型半导体层以及第二区之第二传导型半导体层。第二电极形成于第一区之第二主表面上以连接至第一区之第二传导型半导体层以及第二区之第一传导型半导体层。
申请公布号 TWI445209 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW100132362 申请日期 2011.09.08
申请人 三星电子股份有限公司 南韩 发明人 奥努希金 格里高里;里得耶夫 奥雷格;林锺勋;孙重坤;崔繁在
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种半导体发光装置,包括:半导体叠层,系包含相对之第一及第二主表面、分别提供该第一及第二主表面之第一及第二传导型半导体层、以及形成于该第一及第二主表面间且被隔离沟分成第一及第二区的主动层;至少一个接触孔,系形成以穿越从该第一区之该第二主表面的该主动层,藉以连接至该第一传导型半导体层之一个区;第一电极,系形成于该半导体叠层之该第二主表面上,透过至少一个接触孔连接至该第一区之该第一传导型半导体层,且连接至该第二区之该第二传导型半导体层;第二电极,系形成于该第一区之该第二主表面上且连接至该第一区之该第二传导型半导体层;以及电极连接单元,系将该第二电极连接至该第二区之该第一传导型半导体层。
地址 南韩