碳化矽单晶之制造装置，用于制造装置之治具及碳化矽单晶之制造方法

摘要

提供一种能够抑制多晶生成之碳化矽单晶制造装置。在收容室(1)内，收容治具(41)、与坩锅(6)。在坩锅(6)，收纳碳化矽溶液(8)。治具(41)，系具备种晶轴(411)与盖构件(412)。种晶轴(411)，可以昇降，且在下面安装碳化矽种晶(9)。盖构件(412)，系被配置在种晶轴(411)的下端部。盖构件(412)，为下端开口之筐体，种晶轴(411)的下端部被配置于内部。在制造碳化矽单晶时，碳化矽种晶(9)系浸渍于碳化矽溶液(8)。再者，盖构件(412)之下端系浸渍于碳化矽溶液(8)。因而，盖构件(412)覆盖碳化矽溶液(8)之中、碳化矽单晶周边的部分，予以保温。

主权项

一种碳化矽(SiC)单晶之制造装置，其特征系具备：可以收容收纳碳化矽溶液的坩锅之收容室(chamber)；延伸于前述制造装置之上下方向，在下端面可以安装碳化矽种晶之种晶轴(seed shaft)；与下端开着口，可被收纳在前述坩锅内之筐体，而前述种晶轴的下端部被配置在内部之盖构件；前述盖构件系具有通气孔。