光罩基板、转印用光罩及膜致密性评估方法

摘要

本发明关于一种光罩基板、转印用光罩及膜致密性评估方法，其中系于MoSi所构成的遮光膜中，由利用XRR法所算出之密度(实际密度)与从材料组成所求得之理论密度来求得以数式相对密度=实际密度/理论密度×100所表示之相对密度。藉由获得该相对密度较94%要大之致密薄膜，则可使藉由MoSi膜表面的曝光光线所形成之变质层的厚度为2.0nm以下，并可缩小转印图案的尺寸变化。

主权项

一种光罩基板，系用以制作使用ArF曝光光线之转印用光罩，并具有于透明基板上形成转印图案用的薄膜；其特征在于：该薄膜系由含有钽(Ta)之材料所构成；并且使该薄膜的实际密度为d1，而由该薄膜的膜组成所算出之理论密度为d2时，以数式d=(d1/d2)×100所表示之该薄膜的相对密度d系较83%要大。