半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种可有效地防止记忆体单元之重置动作后发生误设置动作之半导体记忆装置。本发明之半导体记忆装置包括：单元阵列MA，其包含复数条位元线BL、与位元线BL交叉的复数条字元线WL、及配置于位元线BL与字元线WL之交叉部之记忆体单元MC；控制电路，其通过位元线BL及字元线WL而对记忆体单元MC施加使可变电阻元件VR自低电阻状态转变为高电阻状态所需之控制电压VRESET；及偏压电压赋予电路30，其对可变电阻元件VR之一端侧赋予偏压电压Vα以抑制随着可变电阻元件VR自低电阻状态转变为高电阻状态而产生之电位变动。

主权项

一种半导体记忆装置，其特征在于包括：单元阵列，其包含复数条第1布线、与上述第1布线交叉之复数条第2布线、及配置于上述第1布线与上述第2布线之交叉部且包含非欧姆元件及可变电阻元件之串联电路的记忆体单元；控制电路，其通过上述第1布线及上述第2布线而对上述记忆体单元施加使上述可变电阻元件自低电阻状态转变为高电阻状态所需之控制电压；及偏压电压赋予电路，其对上述可变电阻元件之一端侧赋予偏压电压以抑制随着上述可变电阻元件自上述低电阻状态转变为上述高电阻状态而产生之电位变动。