磊晶成长方法

摘要

本发明提供一种磊晶成长方法，是至少在具有下凸的上壁之反应室内配置单晶基板，并从气体导入口导入原料气体及载气至反应室内，而在单晶基板上层积磊晶层之单片式磊晶成长方法，其按照从气体导入口导入至反应室内之载气流量，调整反应室的上壁的曲率半径及/或气体导入口的上端与反应室的上壁的下端的高度方向之差异后，在单晶基板上层积磊晶层。藉此，能够提供一种单片式磊晶成长方法，例如能够得到磊晶晶圆的品质或生产性的提升等的藉由载气流量程度所带来的效果，同时能够不会使膜厚度形状崩溃而在单晶基板上层积磊晶层。

主权项

一种磊晶成长方法，是至少在具有下凸的上壁之反应室内配置单晶基板，并从气体导入口导入原料气体及载气至前述反应室内，而在前述单晶基板上层积磊晶层之单片式磊晶成长方法，其特征为：按照从前述气体导入口导入至前述反应室内之载气流量，调整前述反应室的上壁的曲率半径及/或前述气体导入口的上端与反应室的上壁的下端的高度方向之差异后，在前述单晶基板上层积磊晶层。