Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten: Bilden eines p-Bereichs (12) an einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats (11), Bilden zumindest einer Al-Elektrode (14) auf dem p-Bereich (12), Bilden eines Zwischenlagenfilms (16) in Kontakt mit der zumindest einen Al-Elektrode (14), wobei der Zwischenlagenfilm (16) aus einem Material gebildet ist, das weniger stark mit Si reagiert als Al, und Bilden eines semi-isolierenden Films (18) auf dem Zwischenlagenfilm (16), wobei der semi-isolierende Film (18) Si enthält.