| 摘要 |
Halbleiterbauelement mit Durchkontaktierung, bei dem–ein Halbleitersubstrat (1) vorhanden ist, das mit einer Isolationsschicht (13) und mit einem in der Isolationsschicht (13) angeordneten elektrisch leitfähigen Anschlusspad (14) versehen ist,–eine das Halbleitersubstrat (1) vollständig durchdringende Aussparung (23) über dem Anschlusspad (14) vorhanden ist,–eine Metallschicht (17) innerhalb der Aussparung (23) angeordnet ist, so dass die Metallschicht (17) das Anschlusspad (14) kontaktiert,–auf einer von der Isolationsschicht (13) abgewandten Seite des Halbleitersubstrates (1) ein flächiger Leiter (4) in oder auf einem Zwischenmetalldielektrikum (3) vorhanden ist und–die Metallschicht (17) einen der Aussparung (23) zugewandten und bezüglich der Fläche des Leiters (4) seitlichen Rand (22) des Leiters (4) kontaktiert, dadurch gekennzeichnet, dass–ein elektrisch isolierender Spacer (16) in der Aussparung (23) zwischen dem Halbleitersubstrat (1) und der Metallschicht (17) angeordnet ist,–ein elektrisch isolierender weiterer Spacer (19) in der Aussparung (23) auf einer von dem Halbleitersubstrat (1) abgewandten Seite der Metallschicht (17) angeordnet ist und–der weitere Spacer (19) die Metallschicht (17) zumindest über dem seitlichen Rand (22) des Leiters (4) und über einem seitlichen Rand des Anschlusspads (14) bedeckt. |
