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Halbleitervorrichtung mit:–einem Halbleitersubstrat (1);–einem Trennungsbereich (Z1), der in dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet und von weiteren Teilen des Halbleitersubstrats (1) getrennt ist;–einer eingebetteten Schicht (22) von einem ersten Leitungstyp, die auf einem Bodenabschnitt des Trennungsbereichs (Z1) angeordnet ist;–einem Kanalbildungsbereich (10) von einem zweiten Leitungstyp, der an einer Hauptoberfläche (1a) des Halbleitersubstrats (1), in einem Oberflächenabschnitt des Trennungsbereichs (Z1) angeordnet ist;–einem Source-Bereich (11) von dem ersten Leitungstyp, der in einem Oberflächenabschnitt des Kanalbildungsbereichs (10) angeordnet ist;–einem Drain-Bereich (13) von dem ersten Leitungstyp, der an der Hauptoberfläche (1a) des Halbleitersubstrats (1), in einem weiteren Oberflächenabschnitt des Trennungsbereichs (Z1) angeordnet und von dem Kanalbildungsbereich (10) getrennt ist;–einer ersten Elektrode (17) zum Anlegen einer Source-Spannung an den Source-Bereich (11);–einer zweiten Elektrode (18) zum Anlegen der Source-Spannung an den Kanalbildungsbereich (10);–einer dritten Elektrode (19) zum Anlegen einer Drain-Spannung an den Drain-Bereich (13);–einem Graben (14), der an der Hauptoberfläche (1a) des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist, den Kanalbildungsbereich (10) zwischen dem Source-Bereich (11) und dem Drain-Bereich (13) durchdringt und tiefer als der Kanalbildungsbereich (10) ist; ... |
