| 摘要 |
Ein Verfahren zur Ausbildung einer Wärmesenke auf einem Halbleitergehäuse in einem Wafer-Level-Fertigungsstadium wird offenbart. Ein Halbleiterbauteile-Wafer wird, bevor eine Trennung in separate Bauteilgehäuse erfolgt, auf der einen Seite mit einer Harz-Metallfolie-Schicht beschichtet. Die Harz-Folie-Schicht wird mittels Laserablation bemustert, um die Orte der Wärmesenken zu definieren, und dann wird eine Wärmeleitpaste über die bemusterte Schicht aufgebracht. Die Wärmeleitpaste wird ausgehärtet, um die Wärmesenken zu bilden. Der Wafer kann dann zu Gehäusen zertrennt werden. |
