发明名称 Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
摘要 Die Erfindung sieht ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers vor, indem der Wafer in eine Halteöffnung eines Trägers zum Halten des Wafers eingesetzt wird und der den Wafer haltende Träger zwischen einen oberen Drehtisch und einen unteren Drehtisch eingefügt wird, um die beiden Oberflächen des Wafers gleichzeitig zu bearbeiten, umfassend: Feststellen einer Höhenposition des oberen Drehtischs mittels eines Laserverlagerungssensors vor dem Bearbeiten des Wafers, während der den Wafer haltende Träger zwischen den oberen Drehtisch und den unteren Drehtisch eingefügt ist; und Ermitteln, dass der Wafer nicht normal gehalten wird, um das Halten des Wafers noch einmal durchzuführen, wenn ein Unterschied zwischen der festgestellten Höhenposition und einer Bezugsposition einen Grenzwert überscheitet. Das Verfahren kann automatisch präzise ein Fehlschlagen beim Halten des Wafers vor dem Bearbeiten feststellen, um zu verhindern, dass der Wafer bricht, und die Notwendigkeit einer Untersuchung durch die Bedienperson mittels Berühren auszuschließen, um die Betriebseffizienz zu verbessern.
申请公布号 DE112012004124(T5) 申请公布日期 2014.07.10
申请号 DE20121104124T 申请日期 2012.08.30
申请人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 KANNO, SHINYA
分类号 B24B37/005;H01L21/304 主分类号 B24B37/005
代理机构 代理人
主权项
地址