Auf Galliumnitrid basierende Vorrichtungen und Herstellungsverfahren

摘要

Eine Halbleiterstruktur, die folgendes aufweist: (a) ein Siliziumsubstrat; (b) eine Aluminiumschicht direkt über einer Oberfläche des Substrats liegend; (c) eine polykristalline Kernbildungsschicht aus einem Nitridhalbleiter direkt über der Aluminiumschicht liegend; (d) eine Pufferstruktur einschließlich einer oder mehrerer Supergitter über der Kernbildungsschicht liegend, wobei jedes der Supergitter eine Vielzahl von auf Nitrid basierenden Halbleitern unterschiedlicher Zusammensetzungen aufweist; und (e) eine operative oder Betriebsstruktur aus einem oder mehreren auf Galliumnitrid basierenden Halbleitern, die über der erwähnten Pufferstruktur liegen.