发明名称 |
半色调掩膜版、阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种半色调掩膜版、阵列基板及其制作方法、以及显示装置,用以解决在采用干法刻蚀方式蚀刻掉半色调掩膜版的半透光区域的金属层时,由于刻蚀的均一性比较差,使得制作出的TFT性能比较差,从而使得制作出的阵列基板的品质比较差的问题。本发明实施例提供一种半色调掩膜版,用于阵列基板包含的有源层图案、以及位于有源层图案上方的源极图案、漏极图案和数据线图案的制作,其中:阵列基板的表面包含源极图案、漏极图案和数据线图案对应的A区域,有源层图案在源极图案和漏极图案之间的区域对应的B区域,以及除A区域和B区域以外的C区域;半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中的部分区域和B区域。 |
申请公布号 |
CN103913944A |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201410104455.8 |
申请日期 |
2014.03.20 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
李田生;谢振宇 |
分类号 |
G03F1/32(2012.01)I;G03F1/54(2012.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/32(2012.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种半色调掩膜版,用于阵列基板包含的有源层图案、以及位于所述有源层图案上方的源极图案、漏极图案和数据线图案的制作,其中:所述阵列基板的表面包含所述源极图案、漏极图案和数据线图案对应的A区域,所述有源层图案在所述源极图案和漏极图案之间的区域对应的B区域,以及除所述A区域和B区域以外的C区域,其特征在于,所述半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中的部分区域和所述B区域。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |