| 发明名称 | 研磨用组合物和半导体集成电路装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，该研磨用组合物含有脂环族树脂酸、胶体二氧化硅和四甲基铵离子，所述胶体二氧化硅在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量％，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN102210013B | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN200980144890.0 | 申请日期 | 2009.10.02 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 吉田伊织;神谷广幸 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，其中所述研磨用组合物含有：脂环族树脂酸，胶体二氧化硅，其在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量%，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内，和四甲基铵离子，所述平均次级粒径×含量的单位为nm×质量%。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||