| 发明名称 | 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，用以实现一个占用面积较小的多栅TFT，设置有该多栅TFT的像素的开口率较高，显示装置的分辨率较高。所述多栅薄膜晶体管包括：至少三个栅极，分别与每一栅极一一对应的有源层，各有源层为一体式结构；还包括：与其中一个有源层相连的源极，以及分别与其余的有源层一一对应相连的漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN103915510A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201410120804.5 | 申请日期 | 2014.03.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孙拓 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种多栅薄膜晶体管，其特征在于，包括：至少三个栅极，分别与每一栅极一一对应的有源层，各有源层为一体式结构；还包括：与其中一个有源层相连的源极，以及分别与其余的有源层一一对应相连的漏极。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||