发明名称 |
一种测试器件群测试键 |
摘要 |
一种TEG测试键,包括:场效应晶体管,具有其上形成有源极、栅极和漏极的衬底,所述源极、栅极和漏极在所述衬底的表面沿第一方向依次排列,所述栅极在所述衬底的表面沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸;控制壁,临近所述栅极在所述第二方向上延伸的第一端和第二端,且临近所述衬底,并且不与所述栅极和所述衬底接触,由导电材料形成;源极测试垫,通过导体连接到所述源极;栅极测试垫,通过导体连接到所述栅极;漏极测试垫,通过导体连接到所述漏极;以及控制垫,通过导体连接到所述控制壁,用于将外部控制电压提供到所述控制壁。由于本申请区分了场效应晶体管的边缘处和中部可靠性和工作特性之间的差异,因此能够全面了解半导体器件的工作特性。 |
申请公布号 |
CN103915417A |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201410142677.9 |
申请日期 |
2014.04.10 |
申请人 |
上海和辉光电有限公司 |
发明人 |
严进嵘;许嘉哲;柯其勇;蔡学明 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张浴月;李玉锁 |
主权项 |
一种TEG测试键,包括:场效应晶体管,具有其上形成有源极、栅极和漏极的衬底,所述源极、栅极和漏极在所述衬底的表面沿第一方向依次排列,所述栅极在所述衬底的表面沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸;控制壁,临近所述栅极在所述第二方向上延伸的第一端和第二端,且临近所述衬底,并且不与所述栅极和所述衬底接触,由导电材料形成;源极测试垫,通过导体连接到所述源极;栅极测试垫,通过导体连接到所述栅极;漏极测试垫,通过导体连接到所述漏极;以及控制垫,通过导体连接到所述控制壁,用于将外部控制电压提供到所述控制壁。 |
地址 |
201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |