硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法

摘要

本发明公开了一种硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，包括步骤：提供需要分析的硅基芯片样品并制作分析截面。对分析截面用晶体缺陷腐蚀液进行腐蚀处理。对分析截面进行SEM分析。本发明能提高硅基片上的位错缺陷的可观察范围，能提高位错缺陷的分析速度、以及提高位错监控分析的效率，能降低成本。

主权项

一种硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供需要分析的硅基芯片样品，制作出该硅基芯片样品的需要分析的分析截面，该分析截面的晶面指数属于{110}晶面族；步骤二、对所述硅基芯片样品的所述分析截面用晶体缺陷腐蚀液进行腐蚀处理；步骤三、对腐蚀处理后的所述分析截面进行SEM分析。