化合物半导体静电保护元件

摘要

一种化合物半导体静电保护元件，包含三种类型，其中每一种类型包含一多栅栅极增强型场效晶体管。第一型中，源极电极通过至少一第一电阻与至少一栅极电极连接，而漏极电极通过至少一第二电阻与至少一栅极电极连接；第二型中，数个栅极电极中至少一个通过至少一第四电阻连接于两相邻栅极间区域；第三型中，数个栅极电极通过至少一个第七电阻连接于源极或漏极电极；上述三型化合物半导体静电保护元件中的任两个栅极电极可以一个电阻连接。本发明所提供的化合物半导体静电保护元件使用化合物半导体多栅极E-FET取代数个串联的E-FET二极管，因此能大幅缩小元件表面积。

主权项

一种化合物半导体静电保护元件，其特征在于，包括：一个多栅栅极增强型场效晶体管，其包括一个源极电极、一个漏极电极以及数个位于源极电极与漏极电极间的栅极电极；至少一个第一电阻，通过该第一电阻使该源极电极与该栅极电极中的至少一个连接；以及至少一个第二电阻，通过该第二电阻使该漏极电极与该栅极电极中的至少一个连接。