主权项 |
一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件,其特征在于,包括:P衬底层(10);所述的P衬底层(10)上从左到右依次设有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22),所述的P阱(23)与第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相连;所述的第一N阱(21)上从左到右依次并排设有第一N+有源注入区(41)、第一P+有源注入区(51)和第二N+有源注入区(42);所述的第二N阱(22)上从左到右依次并排设有第三N+有源注入区(43)、第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44);所述的第一N+有源注入区(41)和第一P+有源注入区(51)通过第一金属电极(61)相连,所述的第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)通过第二金属电极(62)相连;所述的第一N+有源注入区(41)与第一P+有源注入区(51)、第一P+有源注入区(51)与第二N+有源注入区(42)、第二N+有源注入区(42)与第三N+有源注入区(43)、第三N+有源注入区(43)与第二P+有源注入区(52)或第二P+有源注入区(52)与第四N+有源注入区(44)通过浅槽(3)隔离;所述的第三N+有源注入区(43)连接有第一电容,所述的第一电容的另一端与第一金属电极(61)相连;所述的第二N+有源注入区(42)连接有第二电容,所述的第二电容的另一端与第二金属电极(62)相连。 |