发明名称 |
神经移植体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种神经移植体的制备方法,其包括:提供一培育层,所述培育层包括一疏水性基底、一碳纳米管膜结构及一蛋白质层,所述碳纳米管膜结构设置在所述疏水性基底的一表面,所述蛋白质层设置在该碳纳米管膜结构远离所述疏水性基底的表面;在该蛋白质层远离所述疏水性基底的表面种植多个神经细胞;以及培育该多个神经细胞直到该多个神经细胞生长出多个神经突起连接在所述多个神经细胞之间形成一神经网络。 |
申请公布号 |
CN102526805B |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201010583205.9 |
申请日期 |
2010.12.11 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
冯辰;范立;赵文美 |
分类号 |
C12N5/079(2010.01)I;A61L27/38(2006.01)I;A61L27/44(2006.01)I |
主分类号 |
C12N5/079(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种神经移植体的制备方法,其包括如下步骤:提供一培育层,所述培育层包括一疏水性基底、一宏观的碳纳米管膜结构及一蛋白质层,所述碳纳米管膜结构设置在所述疏水性基底的一表面,所述蛋白质层设置在该碳纳米管膜结构远离所述疏水性基底的表面,所述碳纳米管膜结构中的多个碳纳米管通过范德华力首尾相连且轴向沿同一方向择优取向延伸;在该蛋白质层远离所述疏水性基底的表面种植多个神经细胞;以及培育该多个神经细胞直到该多个神经细胞生长出多个神经突起连接在所述多个神经细胞之间形成一神经网络,且所述神经细胞中的神经突起基本沿所述同一方向延伸。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |