发明名称 |
断电延迟电路与方法 |
摘要 |
一种断电延迟电路,其特征在于包括:一外部电源输入端;一内部电源供应端;一电容连接所述内部电源供应端;一开关连接在所述外部电源输入端及所述内部电源供应端之间;一磁滞比较器具有第一输入端连接所述外部电源输入端、第二输入端连接所述内部电源供应端,以及输出端产生控制讯号控制所述开关;其中,所述开关在第一状态下打开而连接所述外部电源输入端到所述内部电源供应端,且在第二状态下关闭。 |
申请公布号 |
CN101958701B |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN200910151668.5 |
申请日期 |
2009.07.15 |
申请人 |
立锜科技股份有限公司 |
发明人 |
林棋桦;唐健夫;陈曜洲;陈安东 |
分类号 |
H03K17/22(2006.01)I;H03K19/00(2006.01)I;H04R3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种断电延迟电路,其特征在于包括:一外部电源输入端;一内部电源供应端;一电容连接所述内部电源供应端;一开关连接在所述外部电源输入端及所述内部电源供应端之间;一磁滞比较器具有第一输入端连接所述外部电源输入端、第二输入端连接所述内部电源供应端,以及输出端产生控制讯号控制所述开关,所述磁滞比较器比较所述外部电源输入端的电压及所述内部电源供应端的电压产生所述控制讯号;其中,所述开关在第一状态下打开而连接所述外部电源输入端到所述内部电源供应端,且在第二状态下关闭;其中,所述开关包括:一第一PMOS晶体管连接在所述外部电源输入端及所述内部电源供应端之间,受所述控制讯号控制;一电压切换电路连接所述第一PMOS晶体管的基底,以切换其电压。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元街20号5楼 |