垂直腔面发射激光器的制作方法

摘要

本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括n面电极、GaAs衬底、缓冲层、n型DBR层、氧化限制层、有源区、钝化层、p型DBR层、欧姆接触层。本发明的垂直腔面发射激光器及其制作方法，通过把氧化限制层通过一定工艺来把圆形的氧化层氧化成光栅条纹形，以此来打破电流的各向同性注入，通过引入各向异性的电流注入到有源区来实现两个相互正交的偏振光的偏振控制。另外，本发明的垂直腔面发射激光器结构制造工艺简捷、重复性好，容易推广。

主权项

一种垂直腔面发射激光器的制作方法，由上至下依次为：衬底、缓冲层、N型分布布拉格反射镜组、有源区、氧化限制层、P型分布布拉格反射镜组和欧姆接触层；其特征在于，所述氧化限制层内的载流子注入孔径的形状为透光区和不透光区间隔排列的光栅条纹形状；所述载流子注入孔径的光栅条纹宽度为0.5‑1.5μm；所述有源区包括：空间层和激活区；所述氧化限制层为AlAs层；所述有源区、氧化限制层、P型分布布拉格反射镜组和欧姆接触层的外侧，均设有厚度为100～250nm的AlN钝化层；该垂直腔面发射激光器的氧化限制层的形成包括以下步骤：步骤i：通过光刻成形出氧化限制层；步骤ii：在所述氧化限制层上方生长二氧化硅薄膜，然后将其光刻为光栅条纹形状；在所述氧化限制层上方生长二氧化硅薄膜的厚度为50～250nm；步骤iii：对所述氧化限制层进行氧化，形成光栅条纹形状的载流子注入孔径；对所述氧化限制层进行氧化的氧化深度为所述氧化限制层的厚度；步骤iv：去除掉步骤ii中形成的所述二氧化硅薄膜。