| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍部、横跨鳍部的栅极、横跨鳍部且位于栅极两侧的侧墙；在侧墙两侧的半导体衬底和鳍部中进行离子注入，形成源极和漏极；形成源极和漏极后，在所述侧墙两侧形成横跨鳍部的伪插塞；形成伪插塞之后，在半导体衬底上形成层间介质层；形成层间介质层后，去除伪插塞形成接触孔，其中，伪插塞相比鳍部具有高刻蚀选择比，确保在去除伪插塞时，不会损伤鳍部；在接触孔中填充导电材料形成插塞。由于伪插塞下的鳍部不会出现损伤，也就是说源极和漏极不会出现损伤，因此可以保证包括插塞的半导体器件具有较佳的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103915372A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201310006387.7 | 申请日期 | 2013.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍部、横跨鳍部的栅极、横跨鳍部且位于栅极两侧的侧墙；在侧墙两侧的半导体衬底和鳍部中进行离子注入，形成源极和漏极；形成源极和漏极后，在所述侧墙两侧形成横跨鳍部的伪插塞；形成伪插塞之后，在半导体衬底上形成层间介质层；形成层间介质层后，去除伪插塞形成接触孔，其中，伪插塞相比鳍部具有高刻蚀选择比，确保在去除伪插塞时，不会损伤鳍部；在接触孔中填充导电材料形成插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||