沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，包括步骤：采用EMMI分析方法获取缺陷位置，缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使发光点的直径小于等于1.5微米；采用FIB方法在缺陷位置处制备TEM样品，TEM样品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM样品的厚度大于等于缺陷位置处的发光点的直径；对TEM样品进行TEM分析。本发明能针对位错引起的漏电失效，实现更快速准确的定位与分析确认。

主权项

一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用EMMI分析方法在沟槽MOS器件芯片中获取缺陷位置，所述缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使所述缺陷位置处的发光点的直径小于等于1.5微米；步骤二、采用FIB方法在所述缺陷位置处制备TEM样品，所述TEM样品的中心和所述缺陷位置的中心重合且所述TEM样品的厚度大于等于所述缺陷位置处的发光点的直径，所述TEM样品的截面和所述沟槽MOS器件的沟槽的晶面方向垂直，且所述TEM样品的截面的晶面指数属于晶面族{100}；步骤三、对所述TEM样品进行TEM分析。