| 发明名称 | 高性能双层多晶硅双极型晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能的双层多晶硅双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：1）采用LOCOS和CVD淀积SiO<sub>2</sub>来形成复合隔离结构，减少高温工艺时间；2）采用SiO<sub>2</sub>作为基极多晶硅的刻蚀终止层，防止刻蚀损伤；3）采用SiO<sub>2</sub>和N+多晶硅来形成复合侧墙结构，减少发射极电阻。优点：在不降低隔离效果的前提下减少高温工艺时间，从而可采用相对较薄的外延层，获得更优的微波性能，以二氧化硅作为刻蚀终止层，消除了对硅外延层的刻蚀损伤，改善击穿特性，增加电流放大系数，减少噪声系数。采用二氧化硅和N+多晶硅复合侧墙结构，可在保证发射极-基极电学隔离的同时降低发射极电阻，增加电流放大系数，减少噪声系数。 | ||
| 申请公布号 | CN103915334A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201410133507.4 | 申请日期 | 2014.04.04 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 应贤炜;庸安明;吕勇;王佃利 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
| 主权项 | 一种高性能双层多晶硅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1）采用LOCOS和CVD淀积SiO<sub>2</sub>来形成复合隔离结构，减少高温工艺时间；2）采用SiO<sub>2</sub>作为基极多晶硅的刻蚀终止层，防止刻蚀损伤；3）采用SiO<sub>2</sub>和N+多晶硅来形成复合侧墙结构，减少发射极电阻。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||