发明名称 |
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 |
摘要 |
本发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置;本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板的源极和漏极与栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度大于有源层与栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度;由于源极和漏极与栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度较厚,使源极和漏极与栅极之间的电容减小,降低了源极、漏极与栅极对应的电容,减少了像素负载,降低了整个显示器件的功耗,减少了不必要的功耗,同时不影响阵列基板的显示效果。 |
申请公布号 |
CN103915380A |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201410126488.2 |
申请日期 |
2014.03.31 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
张金中 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,该方法包括:采用一次构图工艺对源极和漏极之间区域的栅极绝缘层进行部分刻蚀处理;通过一次构图工艺形成有源层,所述有源层覆盖所述栅极绝缘层部分刻蚀区域;通过一次构图工艺形成栅极图形,所述栅极图形覆盖栅极绝缘层部分刻蚀区域,及源极和漏极对应的栅极绝缘层区域;其中,所述栅极图形和所述有源层位于栅极绝缘层不同侧,且所述源极和漏极与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度大于所述源极和漏极之间有源层与所述栅极图形之间的栅极绝缘层的厚度。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |