发明名称 | 多绕组变压器耦合的放大器 | ||
摘要 | 本发明公开一种集成电路,其包括射频(RF)放大器,所述射频(RF)放大器具有以两条负反馈路径耦合至增益设备的三股变压器。所述三股变压器包括第一绕组、第二绕组和第三绕组,第一电介质芯安置在所述第一绕组与所述第二绕组之间,并且第二电介质芯安置在所述第二绕组与所述第三绕组之间。所述第一绕组与所述第二绕组之间的第一绕组比率与所述第二绕组与所述第三绕组之间的第二绕组比率组合来影响所述RF放大器的总增益。在特定实施方案中,所述增益设备是晶体管,所述第一绕组耦合至所述晶体管的基极,所述第二绕组耦合至所述晶体管的集电极,并且所述第三绕组耦合至所述晶体管的发射极。 | ||
申请公布号 | CN103916090A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
申请号 | CN201410005796.X | 申请日期 | 2014.01.07 |
申请人 | 美国亚德诺半导体公司 | 发明人 | E·P·戈登 |
分类号 | H03F3/195(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/195(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
主权项 | 一种集成电路,其包括:射频(RF)放大器,其包括以一条或多条负反馈路径耦合至增益设备的三股变压器,其中所述三股变压器包括第一绕组、第二绕组和第三绕组,其中第一电介质芯安置在所述第一绕组与所述第二绕组之间,并且第二电介质芯安置在所述第二绕组与所述第三绕组之间,其中所述第一绕组与所述第二绕组之间的第一绕组比率与所述第二绕组与所述第三绕组之间的第二绕组比率组合来影响所述RF放大器的总增益。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |