半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括晶体管，晶体管被形成在具有第一主表面的半导体衬底中。晶体管包括：沟道区，被掺杂为具有第一导电类型的掺杂剂；源极区，漏极区，源极和漏极区被掺杂为具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；漏极延伸区和邻近沟道区的栅极电极。沟道区被设置在脊的第一部分中。漏极延伸区被设置在脊的第二部分中，并且包括被掺杂为具有第一导电类型的芯部。漏极延伸区进一步包括被掺杂为具有第二导电类型的覆盖部分，覆盖部分邻近脊的第二部分的至少一个或两个侧壁。

主权项

一种半导体器件，包括晶体管，晶体管被形成在具有第一主表面的半导体衬底中，所述晶体管包括：沟道区，被掺杂为具有第一导电类型的掺杂剂；源极区，被掺杂为具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；漏极区，被掺杂为具有第二导电类型的掺杂剂；漏极延伸区；以及邻近沟道区的栅极电极，沟道区被设置在脊的第一部分中，漏极延伸区被设置在脊的第二部分中，漏极延伸区包括被掺杂为具有第一导电类型的芯部，漏极延伸区进一步包括被掺杂为具有第二导电类型的覆盖部分，覆盖部分邻近脊的第二部分的至少一个或两个侧壁。