半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，形成在衬底上，并且包括作为其栅绝缘膜的含Hf膜；以及第二晶体管，形成在所述衬底上，并且具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，所述第二晶体管包括氧化硅膜并且不包括含Hf膜作为其栅绝缘膜。

主权项

一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一晶体管，所述第一晶体管包括栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括含Hf膜；以及形成在所述衬底上的第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，并且，该第二晶体管包括栅绝缘膜，由包括氧化硅膜而不包括含Hf膜的栅绝缘膜作为该第二晶体管的栅绝缘膜，其中，所述第二晶体管包括第一栅电极，该第一栅电极由在第一沟槽中形成的第一金属膜和第二金属膜组成，所述第一金属膜覆盖所述第二金属膜的底表面和侧表面，所述第一沟槽形成在在所述衬底上形成的绝缘膜中。