抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法

摘要

本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R¹至R¹⁰、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1]   [R¹]₃Si-(CH₂)_nR²[化学式2][化学式3]   [R⁶]₃Si-R⁷-Si[R⁶]₃[化学式4]   [R⁸]₃Si-R⁹[化学式5]   [R¹⁰]₃Si-X-Si[R¹⁰]₃。

主权项

一种抗蚀剂下层组合物，包含：有机硅烷基聚合产物，所述有机硅烷基聚合产物通过在酸催化剂或碱催化剂下水解由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种，然后使水解产物进行缩合反应而获得；以及溶剂：[化学式1][R¹]₃Si‑(CH₂)_nR²其中，在上述化学式1中，三个R¹相同，并且是烷氧基，n的范围为0至5，且R²是蒽基，[化学式2]其中，在上述化学式2中，R³至R⁵相同，并且是烷氧基，且m的范围为1至10，[化学式3][R⁶]₃Si‑R⁷‑Si[R⁶]₃其中，在上述化学式3中，六个R⁶相同，并且是烷氧基，且R⁷是联苯撑‑Ph‑Ph‑，[化学式4][R⁸]₃Si‑R⁹在上述化学式4中，三个R⁸相同，并且是烷氧基，且R⁹是H或C1至C6烷基，以及[化学式5][R¹⁰]₃Si‑X‑Si[R¹⁰]₃其中，在上述化学式5中，六个R¹⁰相同，并且是烷氧基，X是直链或支链的亚烃基；或在X的主链上包括亚烯基、亚炔基、杂环基、脲基、或异氰脲酸酯基的亚烃基，其中，所述有机硅烷基聚合产物包括化学式6的结构T1、化学式7的结构T2和化学式8的结构T3且T2结构占40mol%至80mol%：[化学式6]   [化学式7]   [化学式8]其中，在以上化学式6和7中，Y是H或C1至C6烷基，在以上化学式6至8中，‑Org是‑(CH₂)_nR²、由以下化学式A表示的官能团、‑R⁷‑Si[R⁶]₃、‑R⁹、或‑X‑Si[R¹⁰]₃，且R²、R⁶、R⁷、R⁹、R¹⁰和X与上述化学式1至5中相同，[化学式A]其中，在以上化学式A中，m与化学式2中相同。