| 发明名称 | MEMS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MEMS器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有沟槽；沉积多晶硅或无定型硅层，所述多晶硅或无定型硅层填充所述沟槽以实现封口工艺，并覆盖所述基底的表面；对覆盖在所述基底表面上的多晶硅或无定型硅层进行图形化，以形成半导体器件的图形。本发明能够改善填充可靠性并简化工艺流程，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102303844B | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201110233506.3 | 申请日期 | 2011.08.15 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 郑晨焱;张挺 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有沟槽；对所述沟槽底部的基底进行刻蚀以在所述基底中形成空腔，所述沟槽与所述空腔连通；沉积多晶硅或无定型硅层，所述多晶硅或无定型硅层填充所述沟槽以实现封口工艺，并覆盖所述基底的表面；对覆盖在所述基底表面上的多晶硅或无定型硅层进行图形化，以形成与所述MEMS器件配合使用的半导体器件的图形。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||