超级结半导体器件的终端保护结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结半导体器件的终端保护结构，包括：保护环、场板、沟道截止环，位于该沟道截止环内的电荷平衡补偿P型沟槽环；其中：所述电荷平衡补偿P型沟槽环至少具有两种不同深度的沟槽。本发明还公开了一种超级结半导体器件的制作方法。本发明能在不增加工艺复杂性的情况下，提高器件的耐压特性和可靠性。

主权项

一种超级结半导体器件的终端保护结构，包括：保护环，场板，沟道截止环，位于该沟道截止环内的电荷平衡补偿P型沟槽环；其特征在于：所述P型沟槽环至少具有两种不同深度的沟槽组，所述P型沟槽环最外端的一组沟槽至少包含有两个同样深度的沟槽，最外端的沟槽组的深度不深于内侧的沟槽组，所述P型沟槽环中同组中相邻沟槽间隔的距离、不同组中相邻沟槽间隔的距离根据电荷平衡的要求进行设定；即要求同一深度处每个P/N单元中N型载流子和P型载流子的偏差不要大于其中N型载流子总量的30%。