离子注入方法

摘要

本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；生酸剂，其选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合，以及一种溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。

主权项

在半导体器件中形成离子注入区域的方法，包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案由化学放大型光刻胶组合物形成，所述光刻胶组合物包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中，所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合的生酸剂；以及溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使所述涂覆的半导体基材接触漂洗剂，以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行离子注入。