发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置 |
摘要 |
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板上的数据线与栅极线同层制造,以连续设置的栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段,在数据线上覆盖栅绝缘层和刻蚀保护层,覆盖在数据线上的刻蚀保护层与形成在薄膜晶体管有源层上的刻蚀保护层采用同层制造,不增加额外的工艺步骤。而且,刻蚀保护层的厚度很厚,从而使得数据线与公共电极之间的距离加大,减小数据线与公共电极之间的寄生电容。同时,由于数据线上覆盖有刻蚀保护层,而刻蚀保护层可以采用有机膜材料,因此也减小了数据线与公共电极之间的介电常数,从而可以进一步减小数据线与公共电极之间的寄生电容。 |
申请公布号 |
CN103915443A |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201310113604.2 |
申请日期 |
2013.04.02 |
申请人 |
上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
发明人 |
霍思涛;姜文鑫 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
刘松 |
主权项 |
一种阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管、以及围设形成多个像素单元的数据线和栅极线,其特征在于,所述栅极线和所述数据线位于同一层,且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段;栅绝缘层形成在所述数据线和栅极线上;薄膜晶体管,包括源极和漏极,所述源极通过所述数据线上方穿透所述栅绝缘层的通孔,与相邻的所述独立数据线段电连接。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区汇庆路889号 |