发明名称 |
一种多集成三极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种多集成三极管,其包括:封装胶壳(1),封装在封装胶壳内的三极管芯片(2)和二极管芯片(3);三极管芯片的发射极层和基极层之间设有沟道电阻(R),二极管芯片连接在三极管的发射极和基极之间。本实用新型将三极管、二极管、电阻集成封装在一起,节省了制备三件分立元件的材料,还可用小功率三极管替代大功率三极管,有利于降低元件成本,减小PCB板面积和电子产品体积。 |
申请公布号 |
CN203707109U |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201420033139.1 |
申请日期 |
2014.01.20 |
申请人 |
深圳市鹏微科技有限公司 |
发明人 |
黄佳;叶文浩;李建球;杨晓智 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 |
代理人 |
胡朝阳;孙洁敏 |
主权项 |
一种多集成三极管,其特征在于包括:封装胶壳(1),封装在封装胶壳内的三极管芯片(2)和二极管芯片(3);所述三极管芯片包含发射极层(2e)、包在发射极层周边和底面的基极层(2b)、包在基极层周边和底面的高阻层(2n)、贴在高阻层底面的集电极层(2c),所述发射极层、基极层、高阻层的顶面平齐并在其上设有绝缘层(2d),位于基极层上方的绝缘层中设有通孔、该通孔内设有用于连接基极层的基电极(2b1),发射极层中设有一个贯通的基区孔(22),该基区孔上方的绝缘层中设有通孔、该通孔和基区孔内设有用于连接发射极层的发射电极(2e1),发射电极在基区孔的底端连接发射极层、在基电极和发射电极之间的基极层中形成一个沟道电阻(R),集电极层底部焊接第一焊接片(4);所述二极管芯片包含由上而下叠置的阳极和阴极,该阴极底部焊接第二焊接片(5),所述阳极通过导线连接所述发射电极,基电极通过导线与第二焊接片焊接,发射电极通过导线与第三焊接片(6)焊接,第一、第二、第三焊接片分别连接一端伸出封装胶壳之外的第一、第二、第三引脚(7、8、9)。 |
地址 |
518000 广东省深圳市福田区彩田路5015号中银大厦A座10楼DE单元 |