| 发明名称 |
石墨烯导电膜结构的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种石墨烯导电膜结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一金属基底具有一第一表面，以及一与所述第一表面相对的第二表面；采用化学气相沉积法在所述金属基底的第一表面生长石墨烯薄膜；于金属基底的第二表面方向上图形化该金属基底，形成电极。 |
| 申请公布号 |
CN102800419B |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
| 申请号 |
CN201110140261.X |
申请日期 |
2011.05.27 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
姜开利;林晓阳;肖林;范守善 |
| 分类号 |
H01B13/00(2006.01)I;H01B5/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种石墨烯导电膜结构的制备方法，包括以下步骤：提供一金属基底，该金属基底具有一第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；采用化学气相沉积法在所述金属基底的第一表面生长石墨烯薄膜；以及于金属基底的第二表面方向上图形化该金属基底，形成电极。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
