可编程阻抗存储器器件

摘要

可编程阻抗存储器器件，包括：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的、其中布置了存储器单元的至少一个单元阵列，每个存储器单元具有可编程阻抗元件和存取元件的层叠结构，该可编程阻抗元件以非易失性方式存储由电压应用的极性所确定的高阻抗状态或者低阻抗状态，该存取元件具有这样的在某一电压范围内、在截止状态的阻抗值，该阻抗值是在选择状态的阻抗值的十倍或更多；以及，位于单元阵列下面、在半导体衬底上形成的读/写电路，其用于与单元阵列相联系的数据读取和数据写入。

主权项

一种可编程电阻存储器器件，包含：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的至少一个单元阵列，所述单元阵列包括多条位线、多条字线和存储器单元，所述多条位线彼此平行布置，所述多条字线在与所述位线交叉的方向上彼此平行布置，所述存储器单元在所述字线与所述位线的交叉点处连接在所述字线与所述位线之间，每个所述存储器单元包括可编程电阻元件，所述可编程电阻元件以非易失性方式存储高电阻状态或者低电阻状态；以及位于所述单元阵列下面、在所述半导体衬底上形成、并通过垂直布线连接至所述字线和所述位线的读／写电路，其用于与所述单元阵列相联系的数据读取和数据写入，所述读／写电路选择所述垂直布线之一以通过所选择的垂直布线向与选择的存储器单元连接的选择的位线或选择的字线施加驱动信号来进行数据读取和写入，所述读／写电路通过未被选择的垂直布线保持未被选择的位线或未被选择的字线中的保持电压，其中所述垂直布线包括第一、第二和第三垂直布线，所述第一和第二垂直布线在所述位线的方向上布置在限定所述单元阵列的单元布局区域的第一和第二边界外面以将相应的单元阵列的所述位线连接到所述读／写电路，并且所述第三垂直布线在所述字线的方向上布置在限定所述单元布局区域的第三和第四边界之一的外面以将相应的单元阵列的所述字线连接到所述读／写电路。