| 发明名称 | 一种高锗浓度的锗硅外延方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高锗浓度的锗硅外延方法，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35％的无缺陷的锗硅外延薄膜。本发明在利用现有设备的前提下，平衡了生长速率与锗的掺杂浓度，获得高锗浓度的同时，外延的生长速率仅有很少的降低，能保证锗硅外延没有缺陷，达到器件要求，同时有足够的产能。 | ||
| 申请公布号 | CN102465336B | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201010533250.3 | 申请日期 | 2010.11.05 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 缪燕;季伟 |
| 分类号 | C30B25/14(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种高锗浓度的锗硅外延方法，其特征在于，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35%的无缺陷的锗硅外延薄膜；所述锗硅外延薄膜中的高锗浓度区是通过低硅烷分压来生长的，即以降低硅烷的流量来实现锗浓度的提高；所述高锗浓度区生长时其硅烷流量为20～50sccm，锗烷流量为300～500sccm，硅烷流量/锗烷流量为1/20～1/5。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||