发明名称 半导体器件及用于减小其中的路径延迟差值的方法
摘要 本发明提供一种多重图案化的半导体器件。半导体器件包括具有由掩模限定的信号迹线的一个或多个层以及用于在信号迹线之间转移信号并且重供电信号的结构。
申请公布号 CN103914583A 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN201410001202.8 申请日期 2014.01.02
申请人 国际商业机器公司 发明人 D·H·艾伦;D·M·德万兹;D·P·鲍尔森;J·E·希茨二世
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 酆迅
主权项 一种半导体器件,包括:信号导体层,包括:在所述信号导体层上的第一信号迹线,由第一掩模限定;在所述信号导体层上的第二信号迹线,由第二掩模限定;以及转发器结构,用于实现时序容差标准,所述时序容差标准适用于对在所述第一信号迹线中的第一导体上的第一信号重供电并且将所述第一信号转移至所述第二信号迹线中的第二导体,以及对在所述第二信号迹线中的第三导体上的第二信号重供电并且将所述第二信号转移至所述第一信号迹线中的第四导体。
地址 美国纽约阿芒克