发明名称 测定装置、测定方法、及半导体元件制造方法
摘要 本发明提供了一种能从形成于晶片上的元件图案测量曝光图案时的聚焦状态的装置。具备:照明系(20),以照明光照明于表面具有因曝光而形成的图案的晶片(10);受光系(30)及摄影装置(35),检测因形成于晶片(10)表面的图案而被调变的照明光并输出检测信号;以及检查部(42),使用在该图案的多个部分检测出的检测信号测定晶片(10)表面上的所欲部分的图案的曝光条件。
申请公布号 CN103918059A 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN201280054130.2 申请日期 2012.11.29
申请人 株式会社 尼康 发明人 藤森义彦
分类号 H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 汤在彦
主权项 一种测定装置,具备:照明部,是以照明光照明于表面具有因曝光而形成的图案的基板;检测部,检测因所述图案而被调变的照明光并输出检测信号;以及测定部,使用在所述图案的多个部分检测出的检测信号测定所欲部分的所述图案的曝光条件。
地址 日本东京都