提高半导体器件中空穴迁移率的方法

摘要

本发明公开了一种提高半导体器件中空穴迁移率的方法，一集成电路板上设有多个半导体器件，所述集成电路板空余面积上设有浅沟槽区域，其中，所述浅沟槽区域上设有多个附加空置有源区，所述附加空置有源区所占的所述空余面积大于所述空余面积之中浅沟槽区域的面积。本发明提供一种提高半导体器件中空穴迁移率的方法，通过增加附加空置有源区所占有的浅沟槽区域的面积，达到提高半导体器件性能的效果。

主权项

一种提高半导体器件中空穴迁移率的方法，一集成电路板上设有多个半导体器件，半导体器件中包括一种第一晶体管，在所述集成电路板空余面积上设有浅沟槽区域，对部分所述浅沟槽区域进行填充形成多个附加空置有源区，其特征在于，减小所述浅沟槽区域所占的空余面积，所述浅沟槽区域所减小的空余面积用以填充附加空置有源区，以增加附加空置有源区所占的空余面积，使得所述附加空置有源区所占的所述空余面积大于所述浅沟槽区域中浅沟槽所占的空余面积；其中，所述第一晶体管为PMOS器件，所述多个附加空置有源区规则分布在所述浅沟槽区域周围，所述浅沟槽区域环绕在所述半导体器件周围的空余面积上，所述多个附加空置有源区环绕在所述半导体器件的周围。