发明名称 限流电涌保护装置
摘要 本发明提供了限流电涌保护装置。限流电涌保护装置包括串联连接的常开MOSFET对,以及用于监控常开MOSFET对两端电压的一对电压控制的常关开关。在此,电压控制的常关开关根据MOSFET对两端的过阈值电压导通,并且减少常开MOSFET对的栅极驱动电位以限制流经常开MOSFET对的电流。
申请公布号 CN102007660B 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN200980113646.8 申请日期 2009.04.16
申请人 柏恩氏股份有限公司 发明人 A·J·莫里什
分类号 H02H9/02(2006.01)I;H03K17/082(2006.01)I 主分类号 H02H9/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张欣
主权项 一种双向限流电涌保护装置,包括串联连接的常开MOSFET对,其中所述串联连接包括能够双向限流的源极到源极连接,所述双向限流电涌保护装置还包括用于监控所述常开MOSFET对的两端电压的一对电压控制的常关开关,其特征在于,所述电压控制的常关开关根据所述源极到源极连接的MOSFET对两端的过阈值电压导通,并且减少所述常开MOSFET对的栅极驱动电位以限制流经所述常开MOSFET对的电流。
地址 美国加利福尼亚州