SONOS闪存数据擦除方法

摘要

本发明公开了一种SONOS闪存数据擦除方法，包括步骤：采用擦除电压一对SONOS闪存数据进行擦除，直到所述SONOS闪存的阈值电压达到饱和值一；采用小于所述擦除电压一的擦除电压二对所述SONOS闪存数据进行擦除，直到所述SONOS闪存的阈值电压达到饱和值二。本发明能抑制栅电极注入、保持擦除后的阈值电压深度、提高器件的可靠性，同时还能提高器件的擦除速度。

主权项

一种SONOS闪存数据擦除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用擦除电压一对SONOS闪存数据进行擦除，直到所述SONOS闪存的阈值电压达到饱和值一；所述擦除电压一用以提高所述SONOS闪存数据的擦除速度，所述饱和值一为采用所述擦除电压一进行擦除时所述阈值电压所能达到最小值，所述擦除电压一的擦除时间为从加入所述擦除电压一开始直到所述阈值电压到达所述饱和值一时截止；步骤二、采用小于所述擦除电压一的擦除电压二对所述SONOS闪存数据进行擦除，直到所述SONOS闪存的阈值电压达到饱和值二；所述擦除电压二用以抑制所述擦除电压一所产生的栅极注入，使得所述阈值电压能够进一步的降低并达到所述饱和值二；所述饱和值二为采用所述擦除电压二进行擦除时所述阈值电压所能达到最小值，所述饱和值二的绝对值大于所述饱和值一的绝对值；所述擦除电压二的擦除时间为从所述阈值电压到达所述饱和值一开始直到所述阈值电压到达所述饱和值二时截止。