半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及通过树脂保护膜将半导体衬底的底面及侧面覆盖的半导体器件的制造方法。首先，在与划片道及其两侧相对应的部分的半导体晶片及密封膜等中形成槽。在该状态下，通过槽的形成，半导体晶片被分离成各个硅衬底。接着，在包含槽内的各硅衬底(1)的底面形成树脂保护膜。此时，半导体晶片被分离成各个硅衬底，但因为在柱状电极及密封膜的上表面间隔着粘接层等粘贴支撑板，所以可以在形成树脂保护膜时，使包含被各个分离的硅衬底的整体难以翘曲。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包含以下步骤：准备如下构件：在一面上形成了集成电路的半导体晶片的该一面上形成了绝缘膜，在上述绝缘膜上与上述集成电路连接地形成了布线，在上述布线的电极用连接焊盘部上形成了外部连接用凸起电极，在上述外部连接用凸起电极的周围形成了密封膜；在准备了上述构件之后，在上述外部连接用凸起电极及上述密封膜上，间隔着分离层粘贴支撑板；在粘贴了上述支撑板之后，在间隔着上述分离层将上述支撑板粘贴在上述外部连接用凸起电极及上述密封膜上的状态下，在与划片道及其两侧对应的部分的上述半导体晶片的底面侧，形成到达上述密封膜的厚度的中间位置的槽；在形成了上述槽之后，在间隔着上述分离层将上述支撑板粘贴在上述外部连接用凸起电极及上述密封膜上的状态下，在包含上述槽内的上述半导体晶片的底面侧涂敷热固性树脂，使上述热固性树脂固化，从而在包含上述槽内的上述半导体晶片的底面，形成树脂保护膜；在形成了上述树脂保护膜之后，研磨上述树脂保护膜的上表面侧而使该树脂保护膜的厚度变薄、并且使上述树脂保护膜的上表面平坦化；在研磨了上述树脂保护膜的上表面侧之后，从上述支撑板侧对上述分离层施加能量；在对上述分离层施加了能量之后，上述分离层通过上述能量而分离，并从上述外部连接用凸起电极及上述密封膜剥离上述支撑板；及在剥离了上述支撑板之后，以比上述槽的宽度小的宽度，切断上述密封膜及上述树脂保护膜。