辐射发射半导体芯片

摘要

本发明涉及一种辐射发射半导体芯片(1)，具有载体(5)、包括半导体序列的半导体主体(2)、第一接触件(35)和第二接触件(36)。半导体层序列包含用于产生辐射的有源区(20)，所述有源区设置于第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。载体(5)具有面对半导体主体(2)的主表面(51)。第一半导体层(21)位于有源区(20)的面对着载体(5)主表面(51)一侧并且可以通过第一接触件(35)而被接触。第二半导体层(22)可以通过第二接触件(36)而被接触。在第一接触件(35)和第二接触件(36)之间穿过载体(5)的电流路径中设置有保护二极管(4)。

主权项

一种辐射发射半导体芯片(1)，具有载体(5)、包括半导体层序列的半导体主体(2)、第一接触件(35)和第二接触件(36)，其中，‑所述半导体层序列具有设置于第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间并用于发射辐射的有源区(20)；‑所述载体(5)具有面对着所述半导体主体(2)的主表面(51)；‑去除了用于所述半导体主体(2)的所述半导体层序列的生长衬底，所述载体(5)机械地稳定所述半导体主体(2)；‑所述第一半导体层(21)设置于所述有源区(20)的面对着所述载体(5)的主表面(51)的一侧上，并且通过所述第一接触件(35)而被电接触；‑在所述半导体主体(2)和所述载体(5)之间设置有第一连接层(31)，所述第一半导体层(21)与所述第一连接层(31)电连接；‑所述第二半导体层(22)通过所述第二接触件(36)而被电接触；‑所述半导体主体(2)具有至少一个凹陷(25)，所述凹陷(25)延伸穿过所述有源区(20)；‑所述第二半导体层与第二连接层(32)电连接，其中所述第二连接层延伸穿过所述凹陷，所述第二连接层被部分地形成于所述第一连接层和所述载体之间；并且‑在所述第一接触件(35)和所述第二接触件(36)之间穿过所述载体(5)的电流路径中设置有保护二极管(4)。