一种去除多晶硅中的磷的方法

摘要

一种低真空造渣除磷的方法，其步骤为：将金属硅与造渣剂均匀混合后放置于中频感应炉内石墨坩埚中，关闭真空密封盖，开启中频炉感应炉熔化硅和渣；待硅和渣完全熔化后，开启真空泵抽真空至1～10Pa，通入氩气；待反应完成后，进行定向凝固，切除上层杂质富集区，得到目标产品。本发明采用了低真空结合造渣的特殊方法除磷，有效的降低了制造成本，适于产业化生产。

主权项

一种去除多晶硅中的磷的方法，包括如下步骤：（1）金属硅与造渣剂以质量比为100:1～100:10在石墨坩埚中混合，其中，造渣剂为NaCl‑KCl‑LiCl‑AlCl₃，（2）加热步骤（1）的混合物，至金属硅完全熔化成硅液，保持硅液温度在1550～1800℃；（3）对石墨坩埚内抽真空，至压强在1～10Pa，同时，往硅液中通入氩气，速率为10～15L/min；（4）静置1～2h后，保持硅液温度在1450～1550℃，石墨坩埚以0.10～0.15mm/min的速率下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层杂质富集区，得到提纯后多晶硅。